Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

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Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). FT: 450 MHz. Funzione: Circuito IF e VHF a film spesso e sottile. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 25mA. Marcatura sulla cassa: G1*. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: serigrafia/codice SMD G1p, G1t, G1W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BFS20
23 parametri
Corrente del collettore
25mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
20V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
FT
450 MHz
Funzione
Circuito IF e VHF a film spesso e sottile
Guadagno hFE massimo
140
Guadagno hFE minimo
40
Ic(impulso)
25mA
Marcatura sulla cassa
G1*
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
serigrafia/codice SMD G1p, G1t, G1W
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
30 v
Vebo
4 v
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc
Quantità minima
10