Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.38fr
5-49
0.32fr
50-99
0.27fr
100-199
0.25fr
200+
0.21fr
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Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo BE: no. Diodo CE: sì. FT: 200 MHz. Funzione: corrente continua elevata, driver relè, driver lampada. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 2A. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: 150 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) BSP50. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BSP60-115
24 parametri
Corrente del collettore
1A
Alloggiamento
SOT-223 ( TO-226 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-223
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
45V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Diodo BE
no
Diodo CE
FT
200 MHz
Funzione
corrente continua elevata, driver relè, driver lampada
Guadagno hFE massimo
2000
Guadagno hFE minimo
1000
Ic(impulso)
2A
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.25W
Quantità per scatola
1
Resistenza BE
150 Ohms
Spec info
transistor complementare (coppia) BSP50
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1.3V
Tipo di transistor
PNP
Transistor Darlington?
Vcbo
60V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors