Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.16fr
5-24
1.87fr
25-49
1.67fr
50+
1.48fr
Quantità in magazzino: 311

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: kHz. Funzione: Commutazione ad alta tensione e ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 13. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Tensione di isolamento 2500V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Quantità per scatola: 1. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Tecnologia: transistor di potenza. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Tf(massimo): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:31

Documentazione tecnica (PDF)
BU2520DF-PHI
25 parametri
Corrente del collettore
10A
Alloggiamento
SOT-199
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-199
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
kHz
Funzione
Commutazione ad alta tensione e ad alta velocità
Guadagno hFE massimo
13
Guadagno hFE minimo
5
Ic(impulso)
25A
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
Tensione di isolamento 2500V
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
45W
Quantità per scatola
1
Spec info
Switching times (16kHz line deflection circuit)
Tecnologia
transistor di potenza
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
5V
Tf(massimo)
0.5us
Tf(min)
0.35us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
13.5V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors