Transistor NPN BUV27, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V

Transistor NPN BUV27, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.46fr
5-24
1.26fr
25-49
1.13fr
50-99
1.03fr
100+
0.89fr
Quantità in magazzino: 73

Transistor NPN BUV27, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Ic(impulso): 20A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 120ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 240V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57

Documentazione tecnica (PDF)
BUV27
23 parametri
Corrente del collettore
12A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Funzione
Velocità di commutazione rapida
Ic(impulso)
20A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
70W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
VCE(sat) 0.7V...1.5V
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.7V
Tf(massimo)
250 ns
Tf(min)
120ns
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
240V
Vebo
7V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor