Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.87fr
5-24
0.73fr
25-49
0.64fr
50-99
0.58fr
100+
0.48fr
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Equivalenza disponibile
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Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 2A. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. FT: 4 MHz. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 3A. Marcatura del produttore: BUX85G. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Polarità: bipolari. Potenza: 40W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 1kV. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 450V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:16

Documentazione tecnica (PDF)
BUX85
36 parametri
Alloggiamento
TO-220
Corrente collettore Ic [A], max.
2A
Corrente del collettore
2A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
450V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubus
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
2A
Custodia (standard JEDEC)
TO-220
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
50W
FT
4 MHz
Famiglia di componenti
transistor NPN ad alta tensione
Frequenza di taglio ft [MHz]
4 MHz
Funzione
S-L
Guadagno hFE massimo
50
Guadagno hFE minimo
30
Ic(impulso)
3A
Marcatura del produttore
BUX85G
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Polarità
bipolari
Potenza
40W
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
1kV
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
450V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.8V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1000V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor

Prodotti e/o accessori equivalenti per BUX85