Transistor NPN D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V

Transistor NPN D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.19fr
5-24
0.99fr
25-49
0.88fr
50-99
0.82fr
100+
0.71fr
Quantità in magazzino: 69

Transistor NPN D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Equivalenti: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 20A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: coppia D44H11. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:47

Documentazione tecnica (PDF)
D45H11
26 parametri
Corrente del collettore
10A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
80V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Equivalenti
Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi
FT
40 MHz
Guadagno hFE massimo
60
Guadagno hFE minimo
40
Ic(impulso)
20A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
coppia D44H11
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1V
Tf(massimo)
100 ns
Tf(min)
100 ns
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics