Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-24
0.0793fr
25-49
0.0685fr
50-99
0.0622fr
100+
0.0525fr
Quantità in magazzino: 65
Min.: 10

Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 3pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Funzione: Transistor dotato di resistore PNP. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 100mA. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Quantità per scatola: 1. Resistenza B: 4.7k Ohms. Resistenza BE: 47k Ohms. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 19. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:03

Documentazione tecnica (PDF)
DTA143ZT
26 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Costo)
3pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Funzione
Transistor dotato di resistore PNP
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
100mA
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.25W
Quantità per scatola
1
Resistenza B
4.7k Ohms
Resistenza BE
47k Ohms
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD 19
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.1V
Tipo di transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
10V
Prodotto originale del produttore
Nxp Semiconductors
Quantità minima
10