Transistor NPN ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V

Transistor NPN ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
29.48fr
2-4
28.70fr
5-9
28.31fr
10-19
27.99fr
20+
27.49fr
Quantità in magazzino: 22

Transistor NPN ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Corrente collettore Ic [A], max.: 100A. Corrente del collettore: 100A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: Avvitato. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 225W. FT: kHz. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Funzione: Modulo transistor di potenza Darlington NPN. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 300. Ic(impulso): 150A. Marcatura del produttore: ESM3030DV. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Avvitato. Numero di terminali: 4. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Single Dual Emitter. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.25V. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: NPN & NPN. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 300V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:25

Documentazione tecnica (PDF)
ESM3030DV
34 parametri
Alloggiamento
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Corrente collettore Ic [A], max.
100A
Corrente del collettore
100A
Custodia (secondo scheda tecnica)
ISOTOP ( SOT-227 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
400V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
Avvitato
Dissipazione massima Ptot [W]
225W
FT
kHz
Famiglia di componenti
Transistor di potenza NPN Darlington
Funzione
Modulo transistor di potenza Darlington NPN
Guadagno hFE massimo
300
Guadagno hFE minimo
300
Ic(impulso)
150A
Marcatura del produttore
ESM3030DV
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
Avvitato
Numero di terminali
4
Numero di terminali
4
Pd (dissipazione di potenza, massima)
225W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Single Dual Emitter
Temperatura massima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
300V
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.25V
Tf(massimo)
0.6us
Tf(min)
0.35us
Tipo di transistor
NPN & NPN
Transistor Darlington?
Vcbo
300V
Vebo
7V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics