Transistor NPN FJN3302R, 100mA, TO-92, TO-92, 50V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.41fr
5-24
0.31fr
25-49
0.27fr
50+
0.24fr
| Quantità in magazzino: 20 |
Transistor NPN FJN3302R, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 300mA. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41
FJN3302R
21 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
FT
250 MHz
Funzione
circuiti di commutazione
Guadagno hFE minimo
30
Ic(impulso)
300mA
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Quantità per scatola
1
RoHS
sì
Spec info
SAMSUNG 0504-000117
Tecnologia
"Transistor epitassiale al silicio"
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Prodotto originale del produttore
Fairchild