Transistor NPN FJP13009H2, 12A, TO-220, TO-220, 400V

Transistor NPN FJP13009H2, 12A, TO-220, TO-220, 400V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.27fr
5-24
1.96fr
25-49
1.73fr
50-99
1.60fr
100+
1.43fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 23

Transistor NPN FJP13009H2, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 180pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009-2. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41

Documentazione tecnica (PDF)
FJP13009H2
26 parametri
Corrente del collettore
12A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
400V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
180pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
4 MHz
Funzione
Commutazione rapida ad alta tensione
Guadagno hFE massimo
28
Guadagno hFE minimo
15
Ic(impulso)
24A
Marcatura sulla cassa
J13009-2
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
100W
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1V
Tf(massimo)
0.7us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
9V
Prodotto originale del produttore
Fairchild

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