Transistor NPN HD1750FX, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 24A, ISOWATT218FX, 800V

Qnéuantità

Prezzo unitario

1-4

6.13fr

5-14

5.59fr

15-29

5.24fr

30-59

4.81fr

60+

4.55fr

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Transistor NPN HD1750FX, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 24A, ISOWATT218FX, 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 24A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 24A. Funzione: CTV-HA hi-res (F). Ic(impulso): 36A. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Polarità: bipolari. Potenza: 75W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: 0.17...0.31us. Tensione (collettore - emettitore): 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 10V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19

Documentazione tecnica (PDF)

HD1750FX

24 parametri

Alloggiamento

TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Corrente del collettore

24A

Custodia (secondo scheda tecnica)

ISOWATT218FX

Voltaggio collettore/emettitore Vceo

800V

Assemblaggio/installazione

montaggio a foro passante su PCB

Corrente collettore Ic [A]

24A

Funzione

CTV-HA hi-res (F)

Ic(impulso)

36A

Materiale semiconduttore

silicio

Pd (dissipazione di potenza, massima)

75W

Polarità

bipolari

Potenza

75W

Quantità per scatola

RoHS

sì

Spec info

0.17...0.31us

Tensione (collettore - emettitore)

800V

Tensione di saturazione VCE(sat)

0.95V

Tensione massima di saturazione VCE(sat)

Tf(massimo)

250 ns

Tf(min)

180 ns

Tipo di transistor

NPN

Vcbo

1700V

Vebo

10V

Prodotto originale del produttore

Stmicroelectronics