Transistor NPN KSC2310-O, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V

Transistor NPN KSC2310-O, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
0.30fr
10-24
0.25fr
25-49
0.22fr
50-99
0.20fr
100+
0.17fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 120

Transistor NPN KSC2310-O, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 3.5pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: C2310 O. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Quantità per scatola: 1. RoHS: no. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

Documentazione tecnica (PDF)
KSC2310-O
22 parametri
Corrente del collettore
0.05A
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92L (9mm magas)
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
150V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
3.5pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Guadagno hFE massimo
140
Guadagno hFE minimo
70
Marcatura sulla cassa
C2310 O
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.8W
Quantità per scatola
1
RoHS
no
Tecnologia
"Transistor epitassiale al silicio"
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
200V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
Fairchild

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