Transistor NPN KSD2012GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 35pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Ic(impulso): -. Marcatura sulla cassa: D2012-G. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) KSB1366. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27