Transistor NPN MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V

Transistor NPN MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.85fr
5-24
3.40fr
25-49
3.07fr
50+
2.78fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 17

Transistor NPN MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218-FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 4pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: kHz. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4.5. Ic(impulso): 18A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tf(massimo): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 9V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:05

Documentazione tecnica (PDF)
MD2001FX
26 parametri
Corrente del collettore
12A
Alloggiamento
ISOWATT218FX
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-218-FX
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
700V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
4pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
kHz
Funzione
FAST-SWITCH
Guadagno hFE massimo
7
Guadagno hFE minimo
4.5
Ic(impulso)
18A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
58W
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura
+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.8V
Tf(massimo)
2.6us
Tf(min)
0.2us
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
9V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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