Transistor NPN MJ11016, TO3, 120V
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Transistor NPN MJ11016, TO3, 120V. Alloggiamento: TO3. Tensione collettore-emettitore VCEO: 120V. Assemblaggio/installazione: THT. Condizionamento: -. Corrente collettore Ic [A]: 30A. Corrente massima 1: 30A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 4MHz. MSL: -. Polarità: bipolari. Potenza: 200W. RoHS: sì. Serie: MJ11016. Tensione (collettore - emettitore): 120V. Tipo di montaggio: Monte del telaio. Tipo di transistor: transistor Darlington. Tipo: transistor Darlington. VCBO di tensione-base Collector: 120V. Prodotto originale del produttore: Various. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:37
MJ11016
17 parametri
Alloggiamento
TO3
Tensione collettore-emettitore VCEO
120V
Assemblaggio/installazione
THT
Corrente collettore Ic [A]
30A
Corrente massima 1
30A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
200
Larghezza di banda MHz
4MHz
Polarità
bipolari
Potenza
200W
RoHS
sì
Serie
MJ11016
Tensione (collettore - emettitore)
120V
Tipo di montaggio
Monte del telaio
Tipo di transistor
transistor Darlington
Tipo
transistor Darlington
VCBO di tensione-base Collector
120V
Prodotto originale del produttore
Various