Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V

Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
11.74fr
5-9
11.07fr
10-24
10.64fr
25-49
10.33fr
50+
9.73fr
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Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Corrente del collettore: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Guadagno hFE minimo: 1000. Marcatura del produttore: MJ11016G. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11015. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Temperatura massima: +200°C.. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:05

Documentazione tecnica (PDF)
MJ11016G
33 parametri
Alloggiamento
TO-3 ( TO-204 )
Corrente collettore Ic [A], max.
30A
Corrente del collettore
30A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3 ( TO-204 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
120V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
4pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Custodia (standard JEDEC)
TO-204AA
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
200W
FT
4 MHz
Famiglia di componenti
Transistor di potenza NPN Darlington
Guadagno hFE minimo
1000
Marcatura del produttore
MJ11016G
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2)
Numero di terminali
2
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) MJ11015
Temperatura di funzionamento
-55...+200°C
Temperatura massima
+200°C.
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
120V
Tensione di saturazione VCE(sat)
3V
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
Vcbo
120V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor