Transistor NPN MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A. Alloggiamento: TO-3. Tensione collettore-emettitore VCEO: 120V. Corrente del collettore: 50A. Corrente collettore Ic [A], max.: 50A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Frequenza di taglio ft [MHz]: -. Frequenza massima: 30MHz. Marcatura del produttore: MJ11032G. Numero di terminali: 3. Polarità: NPN. Potenza: 300W. RoHS: sì. Temperatura massima: +200°C.. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Tipo: transistor Darlington. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27