Transistor NPN MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A

Transistor NPN MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A

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Transistor NPN MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A. Tensione collettore-emettitore VCEO: -250V. Alloggiamento: TO-3. Corrente del collettore: -16A. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente massima 1: -16A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 5. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Frequenza massima: 4 MHz. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 4MHz. MSL: -. Marcatura del produttore: MJ15025G. Numero di terminali: 3. Polarità: PNP. Potenza: 250W. RoHS: sì. Temperatura massima: +200°C.. Tipo di montaggio: Monte del telaio. Tipo di transistor: transistor di potenza. Tipo: Potenza. VCBO di tensione-base Collector: -400V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27

Documentazione tecnica (PDF)
MJ15025G
25 parametri
Tensione collettore-emettitore VCEO
-250V
Alloggiamento
TO-3
Corrente del collettore
-16A
Custodia (standard JEDEC)
TO-204AA
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
250V
Corrente collettore Ic [A], max.
16A
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente massima 1
-16A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
5
Dissipazione massima Ptot [W]
250W
Famiglia di componenti
transistor PNP ad alta tensione
Frequenza di taglio ft [MHz]
4 MHz
Frequenza massima
4 MHz
Larghezza di banda MHz
4MHz
Marcatura del produttore
MJ15025G
Numero di terminali
3
Polarità
PNP
Potenza
250W
RoHS
Temperatura massima
+200°C.
Tipo di montaggio
Monte del telaio
Tipo di transistor
transistor di potenza
Tipo
Potenza
VCBO di tensione-base Collector
-400V
Prodotto originale del produttore
Onsemi