Transistor NPN MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A

Transistor NPN MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A

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Transistor NPN MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 90 MHz. Marcatura del produttore: J45H11. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:50

Documentazione tecnica (PDF)
MJD45H11G
13 parametri
Alloggiamento
D-PAK
Custodia (standard JEDEC)
TO-252
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
80V
Corrente collettore Ic [A], max.
8A
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
20W
Famiglia di componenti
transistor di potenza PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
90 MHz
Marcatura del produttore
J45H11
Numero di terminali
3
RoHS
Temperatura massima
+150°C
Prodotto originale del produttore
Onsemi