Transistor NPN MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Tensione collettore-emettitore VCEO: -150V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente massima 1: -8A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 20. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Frequenza massima: 30MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 30MHz. MSL: -. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Polarità: PNP. Potenza: 50W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15030G. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tipo: Potenza. Unità di condizionamento: 50. VCBO di tensione-base Collector: -150V. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:52