Transistor NPN MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V

Transistor NPN MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.07fr
5-24
1.83fr
25-49
1.63fr
50-99
1.46fr
100+
1.23fr
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Transistor NPN MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 8A. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente massima 1: 8A. Costo): 4pF. Custodia (standard JEDEC): TO-220. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 10. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Frequenza massima: 30MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 16A. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 30MHz. MSL: -. Marcatura del produttore: MJE15032G. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15033. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tipo: Potenza. VCBO di tensione-base Collector: 250V. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:52

Documentazione tecnica (PDF)
MJE15032G
45 parametri
Tensione collettore-emettitore VCEO
250V
Alloggiamento
TO-220
Corrente del collettore
8A
Corrente collettore Ic [A], max.
8A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
250V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente massima 1
8A
Costo)
4pF
Custodia (standard JEDEC)
TO-220
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
10
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
50W
FT
30 MHz
Famiglia di componenti
transistor NPN ad alta tensione
Frequenza di taglio ft [MHz]
30 MHz
Frequenza massima
30MHz
Funzione
per amplificatore audio
Guadagno hFE massimo
50
Guadagno hFE minimo
10
Ic(impulso)
16A
Larghezza di banda MHz
30MHz
Marcatura del produttore
MJE15032G
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Polarità
NPN
Potenza
50W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) MJE15033
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
250V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di montaggio
montaggio a foro passante su PCB
Tipo di transistor
NPN
Tipo
Potenza
VCBO di tensione-base Collector
250V
Vcbo
250V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor