Transistor NPN MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V

Transistor NPN MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.12fr
5-24
1.86fr
25-49
1.66fr
50-99
1.49fr
100+
1.26fr
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Quantità in magazzino: 19

Transistor NPN MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Tensione collettore-emettitore VCEO: -250V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 8A. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente massima 1: -8A. Costo): 2pF. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 10. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Frequenza massima: 30MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 10. Informazioni: -. Larghezza di banda MHz: 30MHz. MSL: -. Marcatura del produttore: MJE15033G. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Polarità: PNP. Potenza: 50W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15032. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tipo: Potenza. VCBO di tensione-base Collector: -250V. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

Documentazione tecnica (PDF)
MJE15033G
44 parametri
Tensione collettore-emettitore VCEO
-250V
Alloggiamento
TO-220
Corrente del collettore
8A
Custodia (standard JEDEC)
TO-220
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
250V
Corrente collettore Ic [A], max.
8A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
250V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente massima 1
-8A
Costo)
2pF
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
10
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
50W
FT
30 MHz
Famiglia di componenti
transistor PNP ad alta tensione
Frequenza di taglio ft [MHz]
30 MHz
Frequenza massima
30MHz
Funzione
per amplificatore audio
Guadagno hFE massimo
50
Guadagno hFE minimo
10
Larghezza di banda MHz
30MHz
Marcatura del produttore
MJE15033G
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Polarità
PNP
Potenza
50W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) MJE15032
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Temperatura massima
+150°C.
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.5V
Tipo di montaggio
montaggio a foro passante su PCB
Tipo di transistor
PNP
Tipo
Potenza
VCBO di tensione-base Collector
-250V
Vcbo
250V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor