Transistor NPN MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 2.5pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: transistor complementare (coppia) MJE15034G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27