Transistor NPN MJE253G, -100V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 200pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 40 MHz. Frequenza massima: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Polarità: PNP. Potenza: 15W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE243. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27