Transistor NPN MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 10A. Costo): 200pF. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Marcatura del produttore: MJE3055T. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Polarità: bipolari. Potenza: 90W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T. Tecnologia: Base epitassiale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 70V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27