Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V

Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.73fr
5-49
0.62fr
50-99
0.54fr
100-199
0.47fr
200+
0.40fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 108

Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7pF. Costo): 110pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Equivalenti: KSE350. FT: 10 MHz. Funzione: -. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di transistor: PNP. Vebo: 3V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

Documentazione tecnica (PDF)
MJE350-ONS
22 parametri
Corrente del collettore
0.5A
Alloggiamento
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-225
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
300V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
7pF
Costo)
110pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Equivalenti
KSE350
FT
10 MHz
Guadagno hFE massimo
240
Guadagno hFE minimo
30
Materiale semiconduttore
silicio
Pd (dissipazione di potenza, massima)
20.8W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) MJE340
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tipo di transistor
PNP
Vebo
3V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor

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