Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.02fr
5-24
1.78fr
25-49
1.63fr
50-99
1.53fr
100+
1.36fr
Quantità in magazzino: 22

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 50. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tf(min): 2us. Tipo di transistor: NPN. Transistor Darlington?: sì. Unità di condizionamento: 50. Vcbo: 400V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27

Documentazione tecnica (PDF)
MJE5742
24 parametri
Corrente del collettore
8A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubo di plastica
Diodo BE
no
Diodo CE
Guadagno hFE massimo
400
Guadagno hFE minimo
50
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
80W
Quantità per scatola
1
Resistenza BE
100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2)
RoHS
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2V
Tf(min)
2us
Tipo di transistor
NPN
Transistor Darlington?
Unità di condizionamento
50
Vcbo
400V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor