Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.90fr
5-24
1.67fr
25-49
1.49fr
50+
1.33fr
Quantità in magazzino: 16

Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 156pF. Diodo BE: no. Diodo CE: sì. FT: 13 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 18. Ic(impulso): 10A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: 50. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.83V. Tf(massimo): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 10V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37

Documentazione tecnica (PDF)
MJF18204
27 parametri
Corrente del collettore
5A
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
156pF
Diodo BE
no
Diodo CE
FT
13 MHz
Funzione
circuiti di commutazione
Guadagno hFE massimo
35
Guadagno hFE minimo
18
Ic(impulso)
10A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
35W
Quantità per scatola
1
Resistenza BE
50
RoHS
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.83V
Tf(massimo)
175 ns
Tf(min)
110 ns
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
1200V
Vebo
10V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor