Transistor NPN MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Transistor NPN MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.14fr
5-14
3.62fr
15-29
3.26fr
30-59
3.02fr
60+
2.68fr
Esaurito
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Transistor NPN MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 2.8pF. Data di produzione: 201444 201513. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 25A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW1302A. Tecnologia: Transistor bipolare di potenza. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37

Documentazione tecnica (PDF)
MJW3281AG
27 parametri
Corrente del collettore
15A
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
230V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
2.8pF
Data di produzione
201444 201513
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
30 MHz
Funzione
Transistor di potenza bipolare complementare
Guadagno hFE massimo
200
Guadagno hFE minimo
50
Ic(impulso)
25A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
200W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) MJW1302A
Tecnologia
Transistor bipolare di potenza
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.4V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
230V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor

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