Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0243fr
50-99
0.0205fr
100+
0.0186fr
Quantità in magazzino: 1009
Min.: 10

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 1.6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1.2A. Marcatura sulla cassa: 2F. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: SMD '2F'. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37

Documentazione tecnica (PDF)
MMBT2907ALT1G
26 parametri
Corrente del collettore
0.6A
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Costo)
1.6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
200 MHz
Guadagno hFE massimo
300
Guadagno hFE minimo
100
Ic(impulso)
1.2A
Marcatura sulla cassa
2F
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
225mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
SMD '2F'
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.4V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor
Quantità minima
10