Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0327fr
50-99
0.0269fr
100-199
0.0236fr
200+
0.0199fr
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Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Corrente del collettore: 0.2A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente collettore Ic [A]: 0.2A. Costo): 1.6pF. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. FT: 300 MHz. Famiglia di componenti: transistor NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Frequenza: 300MHz. Funzione: UNI. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Marcatura del produttore: 1AM. Marcatura sulla cassa: 1AM. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Polarità: bipolari. Potenza: 300mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: SMD 1AM. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 40V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37

Documentazione tecnica (PDF)
MMBT3904LT1G
37 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Corrente collettore Ic [A], max.
200mA
Corrente del collettore
0.2A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente collettore Ic [A]
0.2A
Costo)
1.6pF
Custodia (standard JEDEC)
TO-236
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.225W
FT
300 MHz
Famiglia di componenti
transistor NPN
Frequenza di taglio ft [MHz]
300 MHz
Frequenza
300MHz
Funzione
UNI
Guadagno hFE massimo
300
Guadagno hFE minimo
100
Marcatura del produttore
1AM
Marcatura sulla cassa
1AM
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.2W
Polarità
bipolari
Potenza
300mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
SMD 1AM
Temperatura massima
+150°C.
Tensione (collettore - emettitore)
40V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
40V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
40V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor
Quantità minima
10