Transistor NPN MMBT3906LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, 40V, 200mA, 200mA, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Corrente del collettore: 200mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente collettore Ic [A]: 0.2A. Costo): 1.6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. FT: 250 MHz. Famiglia di componenti: transistor PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Frequenza: 250MHz. Funzione: UNI. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 800mA. Marcatura del produttore: 2A. Marcatura sulla cassa: 2A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Polarità: bipolari. Potenza: 300mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: SMD 2A. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tf(massimo): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37