Transistor NPN MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

Transistor NPN MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-99
0.14fr
100-999
0.0860fr
1000-2999
0.0532fr
3000+
0.0491fr
Quantità in magazzino: 3622

Transistor NPN MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: transistor PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Marcatura del produttore: 2L. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:50

Documentazione tecnica (PDF)
MMBT5401LT1G
13 parametri
Alloggiamento
SOT-23
Custodia (standard JEDEC)
TO-236
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
150V
Corrente collettore Ic [A], max.
500mA
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
0.225W
Famiglia di componenti
transistor PNP
Frequenza di taglio ft [MHz]
100 MHz
Marcatura del produttore
2L
Numero di terminali
3
RoHS
Temperatura massima
+150°C
Prodotto originale del produttore
Onsemi