Transistor NPN MMBT5551, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Equivalenti: MMBT5551LT1G. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: G1. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD G1 (3S Fairchild). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 3000. Vcbo: 180V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37