Transistor NPN MMBT5551LT1G, SOT-23, 600mA
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-99
0.19fr
100-999
0.0982fr
1000-2999
0.0532fr
3000+
0.0450fr
| Quantità in magazzino: 8815 |
Transistor NPN MMBT5551LT1G, SOT-23, 600mA. Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (standard JEDEC): TO-236. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: transistor NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Marcatura del produttore: G1. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:50
MMBT5551LT1G
13 parametri
Alloggiamento
SOT-23
Corrente collettore Ic [A], max.
600mA
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Custodia (standard JEDEC)
TO-236
Dissipazione massima Ptot [W]
0.225W
Famiglia di componenti
transistor NPN
Frequenza di taglio ft [MHz]
100 MHz
Marcatura del produttore
G1
Numero di terminali
3
RoHS
sì
Temperatura massima
+150°C.
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
160V
Prodotto originale del produttore
Onsemi