Transistor NPN MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v

Transistor NPN MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.17fr
5-49
0.13fr
50-99
0.12fr
100-199
0.10fr
200+
0.0899fr
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Transistor NPN MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 500mA. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione del potere: 0.625W. FT: 125 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 5000. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Polarità: bipolari. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione (collettore - emettitore): 30V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tipo di transistor: PNP. Transistor Darlington?: sì. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:19

Documentazione tecnica (PDF)
MPSA64
26 parametri
Alloggiamento
TO-92
Corrente del collettore
0.5A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
30 v
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
500mA
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione del potere
0.625W
FT
125 MHz
Guadagno hFE massimo
20000
Guadagno hFE minimo
5000
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Polarità
bipolari
Quantità per scatola
2
RoHS
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione (collettore - emettitore)
30V
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.5V
Tipo di transistor
PNP
Transistor Darlington?
Vcbo
30 v
Vebo
10V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor