Transistor NPN PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0697fr
50-99
0.0607fr
100-199
0.0552fr
200+
0.0469fr
Quantità in magazzino: 79
Min.: 10

Transistor NPN PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). FT: kHz. Funzione: Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: *08. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD P08/T08. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Prodotto originale del produttore: Philips Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:03

Documentazione tecnica (PDF)
PDTC144ET
23 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
FT
kHz
Funzione
Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata
Guadagno hFE minimo
80
Ic(impulso)
100mA
Marcatura sulla cassa
*08
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.25W
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
serigrafia/codice SMD P08/T08
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.15V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Prodotto originale del produttore
Philips Semiconductors
Quantità minima
10