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-- 2N5116 P-Channel MOSFET 30V 0.006A n/a
Riferimento prodotto : 2N5116
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| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1+Miglior prezzo | 1.83 fr | — |
Specifiche tecniche
5 parametri| Parametro | Valore |
| Tensione Vdss massima | 30V |
| Corrente Id massima | 0.006A |
| Resistenza Rds-on | n/a |
| Parametro (Package) | n/a |
Descrizione tecnica del prodotto (2N5116):
Il 2N5116 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni di -- in un contenitore n/a. Le applicazioni tipiche includono la gestione dell'energia, la commutazione del carico, la protezione della batteria e i convertitori DC-DC. Manufacturer info: Tranzisztor P-FET 30V Ibss>6mA Up<4V 2N5116.