1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V

1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-19
0.0332fr
20-99
0.0256fr
100-499
0.0222fr
500-999
0.0196fr
1000+
0.0164fr
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Equivalenza disponibile
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Min.: 10

1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V. Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Corrente di impulso max.: 30A. Do: 15pF. Guida corrente: 1A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.1V. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione di soglia: 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Tensione massima inversa: 200V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Prodotto originale del produttore: Lge Technology. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 14/12/2025, 01:04

Documentazione tecnica (PDF)
1N4003
26 parametri
Alloggiamento
DO-41
Corrente diretta (AV)
1A
IFSM
30A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-41 ( DO-204AL )
VRRM
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
Ammo Pack
Corrente di impulso max.
30A
Do
15pF
Guida corrente
1A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.1V
Tensione di soglia Vf (max)
1.1V
Tensione di soglia
1.1V
Tensione diretta Vf (min)
1.1V
Tensione massima inversa
200V
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Prodotto originale del produttore
Lge Technology
Quantità minima
10

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