1N5818, DO-41, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v

1N5818, DO-41, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v

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1N5818, DO-41, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v. Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 25A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: Ammo Pack. Corrente di impulso max.: 30A. Do: 110pF. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Guida corrente: 1A. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione di soglia: 550mV. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. Tensione massima inversa: 30V. Tipo di diodo: Diodo raddrizzatore Schottky. Prodotto originale del produttore: Dc Components Co. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:18

Documentazione tecnica (PDF)
1N5818
26 parametri
Alloggiamento
DO-41
Corrente diretta (AV)
1A
IFSM
25A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-41 ( 5.2X2.7mm )
VRRM
30 v
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
Ammo Pack
Corrente di impulso max.
30A
Do
110pF
Funzione
Diodo raddrizzatore Schottky
Guida corrente
1A
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IFSM--25Ap, t=8.3ms
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+125°C
Tensione di soglia Vf (max)
0.875V
Tensione di soglia
550mV
Tensione diretta Vf (min)
0.55V
Tensione massima inversa
30V
Tipo di diodo
Diodo raddrizzatore Schottky
Prodotto originale del produttore
Dc Components Co
Quantità minima
10

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