893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V

893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.42fr
5-24
0.39fr
25-49
0.38fr
50+
0.36fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 5

893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AP. VRRM: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 150 ns. Do: 15pF. Funzione: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Marcatura sulla cassa: RG2A. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 5uA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Spec info: IFMS 50Ap. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Prodotto originale del produttore: General Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:14

893-399016AB
23 parametri
Corrente diretta (AV)
2A
IFSM
50A
Alloggiamento
DO-204
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-204AP
VRRM
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo Trr (min.)
150 ns
Do
15pF
Funzione
GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER
Marcatura sulla cassa
RG2A
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
SAMSUNG
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
5uA
RM (min)
1uA
RoHS
Spec info
IFMS 50Ap
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.3V
Tensione diretta Vf (min)
1.3V
Prodotto originale del produttore
General Semiconductor

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