In magazzino
Advanced Power
Advanced Power AP4506GEH MOSFET di Potenza Duale Canale N&P 30V 9A/8A D-PAK SMD
Riferimento prodotto : AP4506GEH
Sconti per quantità: risparmia quando acquisti
| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1+Miglior prezzo | 5.68 fr | — |
Descrizione tecnica del prodotto (AP4506GEH):
Transistor N&P-MOSFET Duale AP4506GEH. Tipo di canale: N-P. Quantità per contenitore: 2 pezzi. Info1: Rds(on) N::0.024R P::0.036R. Info2: ID(AV)::N::9A P::8A. Info3: Vdss::N::30V P::-30V. Numero di pin: 4 pezzi. Dissipazione di potenza (Pd): 3.1 W. ROHS: Sì. Montaggio: A montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Contenitore: D-PAK (TO-252). Contenitore (secondo datasheet): TO-252-4L (DPAK) (SOT428). Temperatura operativa: -55...+150 °C.