Advanced Power AP9971GI MOSFET di Potenza Canale N 60V 23A TO-220

Descrizione tecnica del prodotto (AP9971GI):

Advanced Power AP9971GI MOSFET di potenza a canale N. Tensione massima Drain-Source Vds(max): 60V. Corrente di dispersione Drain-Source massima Idss: 25uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 23A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 14A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.036 Ohm. Contenitore (secondo scheda tecnica): TO-220CFM. Contenitore: TO-220. Conforme RoHS: sì. Temperatura operativa: -55...+150°C. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Tecnologia: MOSFET di potenza a modo di arricchimento. Protezione Gate-Source: NO. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 26 ns. Corrente di dispersione Drain-Source minima Idss: 10uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 9 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 80A. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 1V. Capacità di ingresso C(in): 1700pF. Capacità di uscita C(out): 160pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 37 ns. Dissipazione di potenza massima: 31.3W. Confezionamento: tubo di plastica. Protezione Drain-Source: diodo. Tensione Gate-Source Vgs: 20V. Unità di confezionamento: 50.