BAS16GEG, SOT23
Qnéuantità
Prezzo unitario
10-19
0.0312fr
20+
0.0291fr
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BAS16GEG, SOT23. Alloggiamento: SOT23. Assemblaggio/installazione: SMD. Corrente di impulso max.: 4A. Guida corrente: 100mA. Proprietà del semiconduttore: commutazione ad alta velocità. RoHS: no. Struttura a semiconduttore: diodo. Tempo di reazione: 4ns, 6ns. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.25V. Tensione di soglia: 1V, 1.25V. Tensione massima inversa: 100V, 75V. Tipo di diodo: diodo di commutazione. Tipo di semiconduttore: diodo. Prodotto originale del produttore: Nxp. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 16:56
BAS16GEG
15 parametri
Alloggiamento
SOT23
Assemblaggio/installazione
SMD
Corrente di impulso max.
4A
Guida corrente
100mA
Proprietà del semiconduttore
commutazione ad alta velocità
RoHS
no
Struttura a semiconduttore
diodo
Tempo di reazione
4ns, 6ns
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.25V
Tensione di soglia
1V, 1.25V
Tensione massima inversa
100V, 75V
Tipo di diodo
diodo di commutazione
Tipo di semiconduttore
diodo
Prodotto originale del produttore
Nxp
Quantità minima
10