BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di impulso max.: 5A. Diodo Trr (min.): 5 ns. Do: 10pF. Funzione: Diodi a barriera Schottky in vetro a commutazione rapida. Guida corrente: 200mA. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Quantità per scatola: 1. RM (max): 2uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 0.8V. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione di soglia: 320mV. Tensione diretta Vf (min): 0.24V. Tensione massima inversa: 30V. Tipo di diodo: Diodo raddrizzatore Schottky. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:01