BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V

BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V

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BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Confezione: Ammo Pack. Corrente di impulso max.: 5A. Diodo Trr (min.): 50 ns. Do: 1.5pF. Funzione: Diodi per uso generale. Guida corrente: 0.65A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Potenza: 0.5W. Proprietà del semiconduttore: commutazione super veloce. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Struttura a semiconduttore: diodo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Tempo di reazione: 50ns. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1V. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Tensione massima inversa: 150V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:15

Documentazione tecnica (PDF)
BAV20
29 parametri
Alloggiamento
DO-35 ( SOD27 )
Corrente diretta (AV)
0.25A
IFSM
1A
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-35
VRRM
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Confezione
Ammo Pack
Corrente di impulso max.
5A
Diodo Trr (min.)
50 ns
Do
1.5pF
Funzione
Diodi per uso generale
Guida corrente
0.65A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Potenza
0.5W
Proprietà del semiconduttore
commutazione super veloce
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Tempo di reazione
50ns
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1V
Tensione di soglia Vf (max)
1.25V
Tensione diretta Vf (min)
1V
Tensione massima inversa
150V
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Prodotto originale del produttore
Vishay
Quantità minima
10

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