Circuito Integrato Toshiba TA7365P SIL9

Descrizione tecnica del prodotto (TA7365P):

Circuito integrato Toshiba TA7365P in contenitore SIL9. ROHS: No. Famiglia di componenti: Non specificato. Tipo di contenitore: Non specificato. Contenitore: SIL9. Contenitore (JEDEC): Non specificato. Design: Non specificato. Numero di pin: 9. Tipo di circuito: Non specificato. Tensione di alimentazione min. [V]: Non specificato. Tensione di alimentazione max. [V]: Non specificato. Intervallo di temperatura operativa min. [°C]: Non specificato. Intervallo di temperatura operativa max. [°C]: Non specificato. Tensione di uscita, max. [V]: Non specificato. Tensione di uscita, nom. [V]: Non specificato. Frequenza di clock max. [MHz]: Non specificato. Famiglia di circuiti di memoria: Non specificato. Tipo di ingresso: Non specificato. Classe di amplificatore: Non specificato. Tensione di ingresso, min. [V]: Non specificato. Numero di circuiti: Non specificato. Tipo di interfaccia: Non specificato. Tensione di offset in ingresso max. [V]: Non specificato. Larghezza di banda [MHz]: Non specificato. Dimensione della memoria [Byte]: Non specificato. Tensione di ingresso, max. [V]: Non specificato. Potenza di uscita max. [W]: Non specificato. Velocità di commutazione [ns]: Non specificato. Corrente di uscita, max. [A]: Non specificato. Tensione di uscita, max. [V]: Non specificato. Impedenza di carico min. [Ohm]: Non specificato. Slew Rate [V/us]: Non specificato. Corrente di uscita max. [A]: Non specificato. Configurazione della memoria: Non specificato. Consumo di corrente [mA]: Non specificato. Differenza di tensione, ingresso/uscita min. [V]: Non specificato.