Fairchild FQT4N20LTF Transistor MOSFET Canale N SOT-223 200V 0.85A 1.1 Ohm

Descrizione tecnica del prodotto (FQT4N20LTF):

Tensione Vds(max): 200V. Idss (max): 10uA. ID (T=25°C): 0.85A. ID (T=100°C): 0.55A. Resistenza di conduzione Rds On: 1.1 Ohm. Contenitore: SOT-223 (TO-226). RoHS: sì. Temperatura operativa: -55...+150°C. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione G-S: no. Td(off): 15 ns. IDss (min): 1uA. Td(on): 7 ns. Quantità per confezione: 1. Id(imp): 3.4A. Marcatura sul contenitore: FQT4N20L. Vgs(th) min.: 1V. C(in): 240pF. C(oss): 36pF. Trr Diodo (Min.): 90 ns. Pd (Dissipazione di potenza, Max): 2.2W. Protezione drain-source: sì. Tensione gate/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V.