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Fairchild

Fairchild HGTG30N60B3D Transistor N-IGBT 600V 30A TO-247

Riferimento prodotto : HGTG30N60B3D
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Descrizione tecnica del prodotto (HGTG30N60B3D):

Diodo al germanio: no. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Contenitore: TO-247. Diodo CE: no. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N-P. Contenitore (secondo datasheet): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Funzione: Ic 30A a 25°C, 25A a 110°C, Icm 220A (pulsato). Td(off): 137 ns. Tensione collettore-emettitore Vceo: 600V. Td(on): 36 ns. Tensione di saturazione collettore-emettitore VCE(sat): 1.45V. Tensione gate-emettitore VGE: 20V. Dissipazione di potenza massima: 208W. Tensione di soglia gate-emettitore VGE(th) min.: 4.2V. Tensione di soglia gate-emettitore VGE(th) max.: 6V.