Fairchild IRF610B Transistor MOSFET di Potenza a Canale N, 200V Vds, 3.3A Id, 1.16 Ohm Rds(on), Cont

Descrizione tecnica del prodotto (IRF610B):

Tensione Vds(max): 200V. Idss (max): 3.3A. ID (T=25°C): 3.3A. ID (T=100°C): 2.1A. Resistenza di conduzione Rds On: 1.16 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-220. Contenitore: TO-220. Montaggio/installazione: Montaggio a foro passante su PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: VGS @10V. Quantità per confezione: 1. Pd (Dissipazione di potenza, Max): 38W